曝光机龙头ASML 放弃EUV光罩防尘薄膜研发并技转日本三井化学

作者:万博  来源:万博manbetx官网  时间:2019-09-21 18:14  点击:

  原标题:曝光机龙头ASML 放弃EUV光罩防尘薄膜研发并技转日本三井化学

  CINNO Research 产业资讯,ASML将中断EUV Pellicle(光罩防尘薄膜)技术的研发,并将该技术转让与日本。而韩国国内Blank光罩厂商SNS Tech也正在进行此技术开发,预计后续将会有日韩主导权之争。

  6月3日根据业界资讯,日本三井化学与荷兰曝光机厂商ASML签订EUV Pellicle技术转让协议。三井化学计划明年第二季度前在日本竣工EUV Pellicle工厂,并从2021年二季度开始稼动产线%转让,而是按序转让出开发数年的EUV Pellicle技术,并在三井化学量产后开始收取专利费。

  三井化学半导体制程光罩防尘薄膜(Pellicle) (图片来源:etnews)

  半导体曝光制程是将绘制Pattern(图案)的光罩进行曝光,在晶圆上反复进行绘制的过程。将缩小并绘制在光罩的图案复制到晶圆上,过程中光罩受到污染时不良率会急剧上升。

  Pellicle就是在光罩上起保护作用的薄膜,既可防止光罩受到污染,减少不良Pattern并可以提升光罩使用时间。而随着新的半导体细微EUV制程的开发,Pellicle也需要随之改良。原有曝光技术基本是采用光源穿透方式,但EUV制程的光源易被吸收,所以才用的是反射式,Pellicle也需要对应的新技术。但截止目前市场上暂无可以满足量产条件的EUV Pellicle。

  三星电子的部分AP芯片采用EUV制程,但只有光罩,并无Pellicle。而EUV光罩费用高达5亿韩币(约合290万人民币),更换光罩的负担非常大。

  业界人士表示:无Pellicle的光罩虽生产速度有所提升,但不良发生比率会上升。采用Pellicle时制程速度的确会受影响,但可以大大减少不良比率。所以EUV Pellicle技术难度虽高,但却是必不可少的。

  EUV曝光机龙头企业ASML联手加拿大Teledyne耗费数年时间研发EUV Pellicle。但业界推测开发出满足90%以上穿透率的EUV技术难度较高,再加上ASML更倾向于专注EUV设备开发,所以才会决定将技术转让给三井化学。

  韩国企业SNS Tech也是联手汉阳大学研发EUV Pellicle技术。目标采用单晶硅和氮化硅等新材料制作出可满足88%以上穿透率的EUV Pellicle。而三井化学目标采用多晶硅材料方式早日实现量产以抢占市场先机。

  专家认为两家企业的良率均在30%左右,技术尚未成熟。汉阳大学Ann Jinho教授表示就算考虑后续的降价趋势,EUV Pellicle价格为1亿韩币(约合58万人民币)左右,假设一星期更换一次就是每年500亿韩币(约合2.9亿人民币)规模的市场。

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